plUG-INHEV安全性指標(biāo)

介電強(qiáng)度DielectricStrenghth

給介質(zhì)施加電壓后,當(dāng)電壓超過某一極限值時(shí),通過電介質(zhì)的電流急劇增加,電介質(zhì)的介電性能被破壞,這種現(xiàn)象稱為電介質(zhì)擊穿,這時(shí)的電壓稱為擊穿電壓,相應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度稱為電介質(zhì)介電強(qiáng)度。

特別的對(duì)于模塊而言DielectricwithstandACvoltage，一般定義對(duì)交流RMS的介電強(qiáng)度，通常的指標(biāo)為介電強(qiáng)度＞2500V。

絕緣電阻InsulaTIonResistance

加直流電壓于電介質(zhì)，經(jīng)過一定時(shí)間極化過程結(jié)束后，流過電介質(zhì)的泄漏電流對(duì)應(yīng)的電阻稱絕緣電阻。

漏電流Leakcurrent

漏電流是指在電壓通過模塊后通過耦合到外殼的電流。這里的漏電流是由網(wǎng)電源跨過絕緣匯集到外殼上流入大地產(chǎn)生的。

圖片從網(wǎng)上搜集而來

爬電距離Creepagedistances

沿絕緣表面測(cè)得的兩個(gè)導(dǎo)電零部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備防護(hù)界面之間的最短路徑。在不同的使用情況下，由于導(dǎo)體周圍的絕緣材料被電極化，在絕緣材料表面會(huì)形成泄漏電流路徑，導(dǎo)致絕緣材料呈現(xiàn)帶電現(xiàn)象，如果構(gòu)成導(dǎo)電通路，則會(huì)出現(xiàn)表面閃絡(luò)或擊穿現(xiàn)象。

我們一般的認(rèn)為，帶電區(qū)（導(dǎo)體為圓形時(shí)，帶電區(qū)為環(huán)形）的半徑為爬電距離。

電氣間隙Clearancesdistances

在兩個(gè)導(dǎo)電零部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備防護(hù)界面之間測(cè)得的最短空間距離。即在保證電氣性能穩(wěn)定和安全的情況下，通過空氣能實(shí)現(xiàn)絕緣的最短距離。

下面這張圖比較能說明pCB板上的兩者的關(guān)系：