磁敏電阻是一種對磁敏感、具有磁阻效應(yīng)的電阻元件。物質(zhì)在磁場中電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應(yīng)。磁敏電阻通常用銻化銦（InSb）或砷化銦（InAs）等對磁具有敏感性的半導(dǎo)體材料制成。半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)包括物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)，其中物理磁阻效應(yīng)又稱為磁電阻率效應(yīng)。

當(dāng)外加磁場的方向或強(qiáng)度發(fā)生變化時，磁敏電阻的阻值相應(yīng)改變［2］，利用該變化，可精確地測試出磁場的相對位移。例如，在一個長方形半導(dǎo)體InSb片中，沿長度方向有電流通過時，若在垂直于電流片的寬度方向上施加一個磁場，半導(dǎo)體InSb片長度方向上就會發(fā)生電阻率增大的現(xiàn)象。

1、磁阻效應(yīng)原理；

2、磁檢測靈敏度高；

3、輸出信號幅值大；

4、抗電磁干擾能力強(qiáng)；

5、分辨力高。

1）磁阻比：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與零磁感應(yīng)強(qiáng)度下的阻值之比。

2）磁阻系數(shù)：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的阻值與其標(biāo)稱阻值之比。

3）磁阻靈敏度：指在某一規(guī)定的磁感應(yīng)強(qiáng)度下，磁敏電阻器的電阻值隨磁感應(yīng)強(qiáng)度的相對變化率。

磁敏材料能通過磁阻效應(yīng)將磁信號轉(zhuǎn)換成電信號。磁阻效應(yīng)包括材料的電阻率隨磁場而變化和元件電阻值隨磁場而變化兩種現(xiàn)象。前者稱磁電阻率效應(yīng)或物理磁阻效應(yīng)，后者稱為磁電阻效應(yīng)或幾何磁阻效應(yīng)。

磁敏電阻材料主要是電子遷移率大的半導(dǎo)體材料，還有鐵鎳鈷合金。常用的半導(dǎo)體有InSb（或InSb-NiSb共晶材料）、砷化銦（InAs）和砷化鎵（GaAs）等材料，一般用N型。

高純度InSb和InAs的電子遷移率分別為5.6～6.5m/（V·s）和2.0～2.5m/（V·s）。InSb的禁帶寬度小，受溫度影響大。GaAs的禁帶寬度大，電子遷移率也相當(dāng)大［0.8m/（V·s）］，受溫度影響小，且靈敏度也高。

鎳鈷合金和鎳鐵合金的電阻溫度系數(shù)小，性能穩(wěn)定，靈敏度高，且具有方向性，可制作強(qiáng)磁性磁阻器件，用于磁阻的檢測等方面。

用半導(dǎo)體材料制作的磁敏電阻器、無觸點(diǎn)電位器、模擬運(yùn)算器和磁傳感器等應(yīng)用于測量、計算機(jī)、無線電和自動控制等方面。半導(dǎo)體InSb-NiSb磁敏電阻器用于磁場、電流、位移和功率測量及模擬運(yùn)算器等方面，其阻值為10Ω～1kΩ，相對靈敏度6～18（B=1T），溫度系數(shù)-2.9%～0.09%（1/℃）（B=1T），極限工作頻率1～10MHz。在測量小于0.01T的弱磁場時，必須附加以偏置磁場才能進(jìn)行。

Ni-Co薄膜磁敏電阻器主要用于探測磁場方向、磁帶位置檢測、測量和控制轉(zhuǎn)速或速度以及無觸點(diǎn)開關(guān)等方面。阻值有1、10、250kΩ，相對靈敏度2%以上（3&TImes;10T下），溫度系數(shù)3000±500&TImes;10（1/℃），感應(yīng)磁場3&TImes;10T以上，工作溫度-55～150℃。在檢測磁場反轉(zhuǎn)或可逆磁場以下的磁信號時，也應(yīng)采用偏置磁場。

1.、半導(dǎo)體磁敏電阻

通常半導(dǎo)體磁敏電阻是由基片、半導(dǎo)體電阻條（內(nèi)含短路條）和引線三個主要部分組成的。基片又叫襯底，一般是用0.1~0.5mm厚的云母、玻璃作成的薄片，也有使用陶瓷或經(jīng)氧化處理過的硅片作基片的。電阻條一般是用銻化錮（InSb）或砷化銦（InAs）等半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體磁敏電阻條，在制造過程中，為了提高磁敏電阻的阻值，縮小其體積、提高靈敏度常把它作成如圖1所示的結(jié)構(gòu)。

圖1半導(dǎo)體磁敏電阻構(gòu)造

半導(dǎo)體材料的電阻率ρ隨外磁場強(qiáng)度變化而變化的現(xiàn)象叫作半導(dǎo)體的物理磁阻效應(yīng)或叫作磁阻率效應(yīng)。這是由于在外施磁場的作用下，流經(jīng)半導(dǎo)體磁敏電阻的載流子受洛侖茲力的作用使其流動路徑發(fā)生偏斜，從而造成它從一個電極流到另一個電極所流過的途經(jīng)（即載流子運(yùn)動的軌跡）要比無磁場作用時所通過的途經(jīng)要長，故其電阻值增大。我們把載流子在磁場作用下的平均偏斜角度θ叫作平均霍爾角。它與外施磁場及載流有如下關(guān)系：

式中為電子遷移率；B為外施磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度。從式（1）可以看出：半導(dǎo)體磁敏電阻材料的載流子遷移率越大，其偏斜的平均霍爾角就越大，電阻的變化就越大。這種電阻的變化和磁場強(qiáng)度的關(guān)系大致可以認(rèn)為：在弱磁場的作用下，半導(dǎo)體磁敏電阻的相對變化率R/R0與所施磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的平方成正比；而在強(qiáng)磁場的作用下，半導(dǎo)體磁敏電阻的相對變化率ΔR/R0則與所施磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B成正比。

2、磁性金屬薄膜磁敏電阻

強(qiáng)磁性金屬薄膜磁敏電阻器件的結(jié)構(gòu)如圖2所示，和半導(dǎo)體磁敏電阻一樣，它也是由基片、強(qiáng)磁性金屬薄膜的電阻體和內(nèi)外引線三部分組成的。基片一般是用厚為0.1~0.5mm的玻璃片、高頻陶瓷片或經(jīng)氧化處理的硅片制成；電阻體通常是采用半導(dǎo)體平面工藝中的真空鍍膜（或?yàn)R射）、光刻、腐蝕工藝而制成的;內(nèi)引線是用硅鋁絲或金絲采用超聲壓焊或金絲球焊而焊接的，外引線是用非磁性的銅片等材料焊接的。

圖2強(qiáng)磁性金屬薄膜磁敏電阻構(gòu)造