1）區域熔煉法

以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅，作為單晶生長的的籽晶，其晶相一般為<111>或<100>，然后在真空或惰性氣體下，利用高頻感應線圈加熱多晶棒，使多晶硅棒部分區域形成熔區，并依靠熔區的表面張力保持多晶硅棒的平衡和晶體生長的順利進行。晶體生長首先從多晶硅棒和籽晶的結合處開始，多晶硅棒和籽晶以一定的速度做相反方向的運動，熔區從下端沿著多晶硅棒緩慢向上端移動，使多晶硅逐步轉變為單晶硅。

2）直拉法

直拉單晶硅生產工藝流程圖