薄膜太陽能電池概況

薄膜電池顧名思義就是將一層薄膜制備成太陽能電池，其用硅量極少，更容易降低成本，同時它既是一種高效能源產品，又是一種新型建筑材料，更容易與建筑完美結合。在國際市場硅原材料持續緊張的背景下，薄膜太陽電池已成為國際光伏市場發展的新趨勢和新熱點。

模塊結構

薄膜太陽能模塊是由玻璃基板、金屬層、透明導電層、電器功能盒、膠合材料、半導體層等所構成的。

種類

非晶硅（AmorphousSilicon，a-Si）、微晶硅（NanocrystallineSilicon，nc-Si，MicrocrystallineSilicon，mc-Si）、化合物半導體II-IV族［CdS、CdTe（碲化鎘）、CuInSe2］、色素敏化染料（Dye-SensiTIzedSolarCell）、有機導電高分子（Organic/polymersolarcells）、CIGS（銅銦硒化物）。。等

薄膜太陽能電池結構及原理分析

光伏發電就是利用半導體技術，直接將太陽光轉化為電能。太陽能是一種清潔、高效的可再生能源，能廣泛應用于家庭發電系統和大型商業光伏項目等諸多領域。

晶體硅是太陽能電池大規模生產中最常用的原材料，通常包括單晶硅和多晶硅。目前晶體硅太陽能電池約占整個太陽能市場90%左右的市場份額。

在各類薄膜太陽能電池中，預計能實現規模化生產的是硅基薄膜，CIS和CdTe，其中CIS薄膜太陽能電池制造過程中由于要用到稀有金屬硒，使得大規模的生產的成本比較高，而且CIS的生產工藝十分復雜，給大規模生產也造成了一定的困難，所以目前時機還未完全成熟。至于CdTe薄膜太陽能電池，由于其原材料中的“鎘”被證實是一種致癌物質，所以與太陽能電池的綠色能源特性有些許沖突，另外其原材料中的“碲”，價格也比較貴。所以相比來說，硅基薄膜電池更適合大規模化生產。

光電池的工作原理及其特性

光電池的工作原理

在一塊N形硅片表面，用擴散的方法摻入一些p型雜質，形成pN結，光這就是一塊硅光電池。當照射在pN上時，如光子能量hv大于硅的禁帶寬度E時，則價帶中的電子躍遷到導帶，產生電子空穴對。因為pN結阻擋層的電場方向指向p區，所以，任阻擋層電場的作用下，被光激發的電子移向N區外側，被光激發的空穴移向p區外側，從而在硅光電池與pN結平行的兩外表而形成電勢差，p區帶正電，為光電池的正極，N區帶負電，為光電池的負極。照在pN結上的光強增加，就有更多的空穴流向p區，更多的電子流向N區，從而硅光電池兩外側的電勢差增加。如上所述，在光的作用下，產生一定方向一定大小的電動勢的現象，叫作光生伏特效應。

硅光電池特性

1.2.1光照特性

不同強度的光照射在光電池上，光電池有不同的短路電流Isc和開路電在Voc，如圖1所示。由圖1可知短路電流Isc光強Ev特性是一條直線，即短路電流在很寬的光強范圍內，與光強成線性關系，而開路電壓是非線性的，而且，在當光強較小，約20mW／cm2時，短路電壓就趨于飽和。因此，要想用光電池來測量或控制光的強弱，應當用光電池的短路電流特性。

1.2.2硅光電池的光譜特性

如圖是硅光電池、硒光電池的光譜特性曲線。顯而易見，不同的光電池，光譜曲線峰值的位置不同，例如硅光電池峰值波長在0.8μm左右，硒光電池在0.54μm左右。硅光電池的光譜范圍寬，在0.45～1.1μm之間，硒光電池的光譜范圍在0.34～0.75μm之間，只對可見光敏感。

值得注意的是，光電池的光譜曲線形狀，復蓋范圍，不僅與光電池的材料有關，還與制造工藝有關，而且還隨著環境溫度的變化而變化。

1.2.3光電池的溫度特性

光電池的溫度特性如圖3所示。由圖可知，開路電壓隨溫度的升高而快速下降，短流電流隨溫度升高而緩緩增加。所以，用光電池作傳感器制作的測量儀器，即使采用IscEv特性，在被測參量恒定不變時，儀器的讀數也會隨環境溫度的變化而漂移，所以，儀器必須采用相應的溫度補償措施。;

硅光電池的結構及工作原理

硅光電池是一種能將光能直接轉換成電能的半導體器件，其結構圖所示。它實質上是一個大面積的半導體pN結。硅光電池的基體材料為一薄片p型單晶硅，其厚度在0.44mm以下，在它的表面上利用熱擴散法生成一層N型受光層，基體和受光層的交接處形成pN結。在N型層受光層上制作有柵狀負電極，另外在受光面上還均勻覆蓋有抗反射膜，它是一層很薄的天藍色一氧化硅膜，可以使電池對有效入射光的吸收率達到90%以上，并使硅光電池的短路電流增加25%-30%.

以硅材料為基體的硅光電池，可以使用單晶硅、多晶硅、非晶硅來制造。單晶硅光電池是目前應用最廣的一種，它有2CR和2DR兩種類型，其中2CR型硅光電池采用N型單晶硅制造，2DR型硅光電池則采用p型單晶硅制造。

硅光電池的工作原理是光生伏特效應。當光照射在硅光電池的pN結區時，會在半導體中激發出光生電子空穴對.pN結兩邊的光生電子空穴對，在內電場的作用下，屬于多數載流子的不能穿越阻擋層，而少數載流子卻能穿越阻擋層。結果，p區的光生電子進入N區，N區的光生空穴進入p區，使每個區中的光生電子一空穴對分割開來。光生電子在N區的集結使N區帶負電，光生電子在p區的集結使p區帶正電.p區和N區之間產生光生電動勢。當硅光電池接入負載后，光電流從p區經負載流至N區，負載中即得到功率輸出。