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單晶硅的主要制備方法比較

鉅大鋰電  |  點擊量:0  |  2019年08月06日  

硅單晶的制備方法:按拉制方法不同分為無坩堝區熔(FZ)法與有坩堝直拉(CZ)法。區熔拉制的單晶不受坩堝污染,純度較高,適于生產電阻率高于20歐/厘米的N型硅單晶(包括中子嬗變摻雜單晶)和高阻 P型硅單晶。由于含氧量低,區熔單晶機械強度較差。大量區熔單晶用于制造高壓整流器、晶體閘流管、高壓晶體管等器件。直接法易于獲得大直徑單晶,但純度低于區熔單晶,適于生產20歐/厘米以下的硅單晶。由于含氧量高,直拉單晶機械強度較好。大量直拉單晶用于制造MOS集成電路、大功率晶體管等器件。外延片襯底單晶也用直拉法生產。硅單晶商品多制成拋光片,但對FZ單晶片與CZ單晶片須加以區別。外延片是在硅單晶片襯底(或尖晶石、藍寶石等絕緣襯底)上外延生長硅單晶薄層而制成,大量用于制造雙極型集成電路、高頻晶體管、小功率晶體管等器件。 目前,市場上所供應的單晶硅多是以有坩堝直拉(CZ)法制備而成的,下面是直拉硅單晶生長控制主要過程示意圖:


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