2018年1-10月，中國新能源汽車產量80.23萬輛，同比增長70.56%。新能源汽車產業的發展直接帶動了IGBT產業的快速發展。

IGBT模塊作為新能源汽車電機電控系統和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源整車成本的10%，占到充電樁成本的20%。新能源汽車及充電樁市場正進入爆發期，IGBT作為其核心器件也將迎來黃金發展期，我們預計到2020年，新能源汽車和充電樁市場將帶動上百億IGBT模塊的需求。

IGBT是功率半導體器件第三次技術革命的代表型產品，具有驅動容易、控制簡單、開關頻率高、導通電壓低、通態電流大、損耗小等優點，可以說是新能源汽車的核心技術之一，IGBT的好壞直接影響新能源汽車功率的釋放速度。

新能源汽車IGBT的作用是交流電和直流電的轉換，同時還承擔電壓的高低轉換的功能。當外界充交流電時，需要通過IGBT轉換成直流電然后充給電池，同時要把220V電壓轉換成適當的電壓以后才能給電池組充電；電池放電時，通過IGBT把直流電轉變成交流電機使用的交流電，同時起到變頻和變壓的作用。

歐美和日本企業憑借著產品質量好、技術領先，在IGBT市場中占據絕對優勢地位，也是我國新能源汽車IGBT市場的主要供應商，目前我國市場需求的新能源汽車IGBT電子產品90%左右需要進口。

新能源汽車中IGBT等大功率電力電子器件不僅對性能要求高，同時對可靠性的要求更為嚴苛，期望壽命一般為二十年以上，功率循環上萬次甚至百萬次以上，而且需要在不同的環境和氣候下工作。目前在新能源汽車IGBT行業內國產芯片技術水平與國外差距較大，競爭力較弱，處于初始發展階段。

從產業鏈來看，IGBT是一個高精尖技術的行業，產業鏈核心包括芯片設計、晶圓制造、封裝、測試、光刻機制造等。其中晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，建造一個生產300毫米直徑硅錠的制造廠大約需要35億美元，對于資本和技術的要求非常高。

光刻機是芯片制造的核心設備之一，用于生產芯片的光刻機是中國在半導體設備制造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

IGBT國產化趨勢明確，爆發時點已到。IGBT芯片進口比例超九成，市場替代空間大，國內已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產業鏈。

近幾年來隨著市場的刺激以及國家政策的扶持，國內出現了一批IGBT方面的公司并取得了令人欣喜的成績，例如中車時代電氣、比亞迪微電子、華微電子。在終端需求的帶動下，國內的汽車級IGBT產業會逐漸發展強大起來。

在電動車市場需求快速增長的帶動下，高工產研電動車研究所（GGII）認為，新能源汽車IGBT行業將具有很大的投資機會。