石墨烯由于其獨特的化學和物理性質，是最有前途的先進電子材料之一。由于石墨烯晶格和光之間產生了相互作用，由此開辟了具有優異功能的新型器件的發展方向。然而，用于傳統硅電子學的技術不大可能適用于石墨烯。光刻技術是半導體生產中的主要工藝，這種技術使用聚合物和液體，可以極大地改變石墨烯的初始性質。新型無掩膜方法在石墨烯技術中得到了積極迅速的發展。

由國家電子技術研究所（俄羅斯）、FuxungsZuncU-JuliCH（德國）和AIMEN技術中心（西班牙）組成的國際研究團隊，開發了一種石墨烯改性的方法。作者利用超快激光功能化的單層CVD石墨烯，無掩模制造了微型納米器件。作者認為，飛秒激光在石墨烯上運動的區域，產生了光化學反應（僅在光下曝光的反應），從而導致石墨烯通過氧化基團改性。這些基團極大地改變了石墨烯的電學和光學性質，提供了功能性器件開發的新方法，這種方法不使用任何復雜的基于掩膜的技術。

作者通過FS激光脈沖在石墨烯場效應晶體管中產生了P-P結。制作的光電探測器在室溫下就可以工作，而且不需要外部冷卻。在改性結構中觀察到100mA/W的最高光響應率。

這項研究提供了納米材料完全無掩模方法制備的第一步。在FS激光處理過程中，改變環境可能導致石墨烯表面的不同官能化。此外，其他的2-D材料，如磷烯，可以提供非常好的光化學活性，并且可以以相同的方式對它處理。研究表明，通過超快激光處理，在石墨烯表面無掩模構圖是可行的，可以制備具有效率高、低噪聲和高線性動態范圍的全集成光電探測器。

研究人員在美國化學學會出版物《ACS光子學》中進一步討論了他們的技術。

文章來自phys網站，原文題目為Highphotoresponsivityinmodifieduponmasklessprocessinggraphenedetectors，由材料科技在線匯總整理。