首先我們來看看太陽能電池板的分類。太陽能電池封裝形式基本有

三種：環(huán)氧膠封、PET層壓、玻璃層壓，它們的具體差別見附表。

封裝說明：

1.環(huán)氧膠封裝，采用環(huán)氧樹脂材料為表面保護，進行對激光切割后的電池片進行電壓組合后的封裝。

2.PET層壓封裝，采用PET材料為表面保護，對激光切割后的電池片進行電壓分配后壓制固化封裝。

3.玻璃層壓封裝，采用鋼化玻璃材料為表面保護，對激光切割后的電池片進行電壓分配后壓制固化封裝。

太陽能電池板經(jīng)常應用于電路制作時，經(jīng)常與蓄電池匹配。不同類型的，不同參數(shù)的太陽能電池板與蓄電池匹配時，相互有什么樣的要求呢？這是我們下面要解決的問題了。

環(huán)氧膠封裝與PET層壓電池板，適用于太陽能小型光伏產(chǎn)品中，功率一般5W以下，在小功率光伏產(chǎn)品中可以選用，因為性價比比較高，玻璃層壓適合，大，中，小光伏應用系統(tǒng)（太陽能光伏家用發(fā)電系統(tǒng)）我們整理一幅圖片介紹太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)。

環(huán)氧樹脂技術

成本相對價格較低，制造工藝簡單，可應用于小功率電路，最小電流可達5mA，電壓0.5V

壽命短，一般為2-3年，最長5年；只能用于小功率電路，一般在5-10W以下

計算器，電子玩具，消費類電子產(chǎn)品

PET層壓技術（俗稱滌綸樹脂）

壽命比膠封長，可以達到4-5年，最長可以達到5~6年（根據(jù)不同地區(qū)）

只能用于小功率電路，一般在5W以下

太陽能草坪燈

有機玻璃層壓技術

壽命長，可達20年以上，最長20~25年；強度高，采用鋼化玻璃；可用于大功率場合，最大可應用到300-500W

工藝相對復雜，要專門設備，原材料生產(chǎn)周期相對較長；功率不能做得太小（重要是小規(guī)格玻璃不能鋼化，太小操作也不方便）

太陽能路燈等

如何選合適的單晶硅/多晶硅電池板組件呢？首先考慮的是電池板的輸出功率。舉例說明，假如我們選擇Pm（額定功率）為1.4W，峰值電壓為3.5V，峰值電流為400mA的太陽能電池板，比如在我國華東一帶，每天平均的受光出現(xiàn)理想電壓的時間為7小時，根據(jù)設計相關經(jīng)驗太陽能的發(fā)電效率取值為0.7，蓄電池的補償值取N=1.4，就可以計算出太陽能電池板一天轉(zhuǎn)換的電量和蓄電池的容量。假設你所在地的有效光照時間為h，則太陽能電池板一天的光電轉(zhuǎn)換出現(xiàn)的電量M=Pm×h×u=1.4W×7×0.7=6.86W（W.H）

日電量等于輸出電流與有效光照時間的乘積，即：C=I*H(AH)。C=Ph/U=1.4W*7h/3.5V=2.8(AH)

由以上公式可以得出：一塊3.5V400mA的太陽能電池板，在7小時有效光照情況下每日輸出電能為：2.8AH。

蓄電池的選取，蓄電池（可充電電池這里我們統(tǒng)一稱呼蓄電池）種類很多如：鎳鎘NI-CD、鎳氫NI-MH,6V、12V鉛酸蓄電池，3.7V鋰離子電池等，鎳鎘與鎳氫電池的單格電壓為：1.2V,鉛酸蓄電池單格電壓為：2V,鋰離子電池的單格電壓為：3.7V，那么如何將太陽能電池板和蓄電池配接起來呢？根據(jù)筆者的設計相關經(jīng)驗通常來說太陽能電池板的額定輸出電壓是蓄電池電壓的1.4~1.6倍關系，這個是蓄電池的充電效率決定的，因為太陽能電池板對蓄電池的充電，不像日常家用的交流電源變換的直流電給蓄電池充電相同有較大的選擇余地，況且太陽能電池給蓄電池充電時會有少許的功率波動情況，在選擇蓄電池的充電補償通常定位1.4倍，這樣一個而定電壓為2.2V電壓的鎳氫電池應該選配太陽能電池板的電壓為：2.2*(1.4~1.6)=3.08~3.52V左右的電池板比較合適。

蓄電池容量的選取，C=2.8/1.40≈2000mA（2.0A）以上，考慮到夏天太陽能電池板受光時間比較長，太陽能與電池的安全使用情況，電池可以選2500mA比較合適。

太陽能電池板，英文名稱是AOLARPANEL，有單晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜電池的。

單晶硅，英文名：Monocrystallinesilicon，單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分。硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。

熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，假如這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而新增，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅重要用于制作半導體元件。

用途：是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。

多晶硅，英文名：polycrystallinesilicon，性質(zhì)：灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料用途。具有半導體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導電性。

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異重要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。

用途：電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。

非晶硅，英文名：amorphoussilicon,重要優(yōu)點有：質(zhì)量小、厚度極薄（幾個微米）、可彎曲、制造工藝簡單等。.

傳統(tǒng)晶體硅太陽電池由于由硅組成,電池重要部分易碎,易出現(xiàn)隱形裂紋,大多有一層鋼化玻璃作為防護,造成重量大,攜帶不便,抗震能力差,造價高,效率或多或少降低.

薄膜太陽電池克服了上述缺點,前些年由于技術落后，薄膜太陽電池的光電轉(zhuǎn)化效率并沒有傳統(tǒng)晶體硅電池轉(zhuǎn)化效率高。

薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)化效率之提升是太陽能科技界正在不斷研究的主方向。截止2015年年中，實驗室中碲化鎘薄膜太陽電池的光電轉(zhuǎn)化效率已達21.5%。FirstSolar公司是全球最大的碲化鎘太陽能電池組件生廠商，其計劃在2015年內(nèi)實現(xiàn)相關組件的效率達到16%。目前，銅銦鎵硒薄膜太陽電池的效率也超過21%，相關組件的效率也將達到15%。

當前已經(jīng)實現(xiàn)商業(yè)化的薄膜太陽電池重要有:碲化鎘薄膜太陽電池、銅銦鎵硒薄膜太陽電池、非晶體硅薄膜太陽電池。