近年來，光伏工業呈現加速發展的趨勢，發展的特點是：產量新增，轉化效率提高，成本降低，應用領域不斷擴大。與十年前相比，太陽能電池價格大幅度降低。可以預料，隨著技術的進步和市場的拓展，光電池成本及售價將會大幅下降。2010年以后，由于太陽能電池成本的下降，可望使光伏技術進入大規模發展時期。隨著技術的進步，薄膜太陽能電池的發展將日新月異，在未來光伏市場的市場份額將逐步提高。作為性能最好的薄膜太陽能電池，CIGS薄膜太陽能電池也將迎來快速發展時期。

CIGS電池的結構

銅錮稼硒（CIGS）薄膜太陽能電池，具有層狀結構，吸收材料屬于I-III-VI族化合物。襯底一般采用玻璃，也可以采用柔性薄膜襯底。一般采用真空濺射、蒸發或者其它非真空的方法，分別沉積多層薄膜，形成p-N結構而構成光電轉換器件。從光入射層開始，各層分別為：金屬柵狀電極、減反射膜、窗口層（Zn0）、過渡層（CdS）、光吸收層（CIGS）、金屬背電極（Mo）、玻璃襯底。經過近30年的研究，CIGS太陽電池發展了很多不同結構。最重要差別在于窗口材料的不同選擇。最早是用n型半導體CdS作窗口層，其禁帶寬度為2.42eV，一般通過摻入少量的ZnS，成為CdZnS材料，重要目的是新增帶隙。但是，鍋是重金屬元素，對環境有害，而且材料本身帶隙偏窄。近年來的研究發現，窗口層改用Zn0效果更好，帶寬可達到3.3eV，CdS的厚度降到只有約50nm，Zn0只作為過渡層。為了新增光的入射率，最后在電池表面蒸發一層減反膜（一般采用MgFz），電池的效率會得到1-2%的提高?，F在研究表明，襯底一般采用堿性鈉鈣玻璃（堿石灰玻璃），重要是這種玻璃含有金屬鈉離子。Na通過擴散可以進入電池的吸收層，這有助于薄膜晶粒的生長。

Mo作為電池的底電極要求具有比較好的結晶度和低的表面電阻，制備過程中要考慮的另外一個重要方面是電池的層間附著力，一般要求Mo層具有魚鱗狀結構，以新增上下層之間的接觸面積;CIS/CIGS層作為光吸收層是電池的最關鍵部分，要求制備出的半導體薄膜是p型的，且具有很好的黃銅礦結構，晶粒大、缺陷少是制備高效率電池的關鍵;CdS作為緩沖層，不但能降低i-Zn0與p-CIS之間帶隙的不持續性，而且可以解決CIS和Zn0晶格不匹配問題;n-Zn0（AZO）作為電池的上電極，要求具有低的表面電阻，好的可見光透過率，與Al電極構成歐姆接觸;防反射層MgFz可以降低光在接收面的反射，提高電池的效率。