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分析鋰離子電池保護(hù)電路工作原理

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2021年01月28日  

鋰離子電池的保護(hù)功能通常由保護(hù)電路板和PTC協(xié)同完成,保護(hù)板由電子元件組成,在-40℃~+85℃的環(huán)境下時(shí)刻準(zhǔn)確地監(jiān)視電芯的電壓和充放電回路的電流,并及時(shí)控制電流回路的通斷;PTC的重要用途是在高溫環(huán)境下進(jìn)行保護(hù),防止電池發(fā)生燃燒、爆炸等惡性事故。


保護(hù)電路通常由控制IC、MOs開關(guān)管、熔斷保險(xiǎn)絲、電阻、電容等元件組成,如圖2所示。正常的情況下,控制IC輸出信號控制MOs開關(guān)管導(dǎo)通,使電芯與外電路導(dǎo)通,當(dāng)電芯電壓或回路電流超過規(guī)定值時(shí),它立即控制MOS管關(guān)斷,以保護(hù)電芯的安全。


1、正常狀態(tài)


在正常狀態(tài)下電路中N1的CO與DO腳都輸出高電壓,兩個(gè)MOSFET都處于導(dǎo)通狀態(tài),鋰離子電池可以自由地進(jìn)行充電和放電,由于MOSFET的導(dǎo)通阻抗很小,通常小于30毫歐,因此其導(dǎo)通電阻對電路的性能影響很小。此狀態(tài)下保護(hù)電路的消耗電流為μA級,通常小于7μA。


2、過充電保護(hù)


鋰離子電池要求的充電方式為恒流/恒壓,在充電初期,為恒流充電,隨著充電過程,電壓會上升到4.2V(根據(jù)正極材料不同,有的電池要求恒壓值為4.1V),轉(zhuǎn)為恒壓充電,直至電流越來越小。


電池在被充電過程中,假如充電器電路失去控制,會使電池電壓超過4.2V后繼續(xù)恒流充電,此時(shí)電池電壓仍會繼續(xù)上升,當(dāng)電池電壓被充電至超過4.3V時(shí),電池的化學(xué)副反應(yīng)將加劇,會導(dǎo)致電池?fù)p壞或出現(xiàn)安全問題。


在帶有保護(hù)電路的電池中,當(dāng)控制IC檢測到電池電壓達(dá)到4.28V時(shí),其CO腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕2由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷,從而切斷了充電回路,使充電器無法再對鋰離子電池進(jìn)行充電,起到過充電保護(hù)用途。而此時(shí)由于V2自帶的體二極管VD2的存在,電池可以通過該二極管對外部負(fù)載進(jìn)行放電。在控制IC檢測到電池電壓超過4.28V至發(fā)出關(guān)斷V2信號之間,還有一段延時(shí)時(shí)間,該延時(shí)時(shí)間的長短由C3決定,通常設(shè)為1秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。


3、過放電保護(hù)


鋰離子電池在對外部負(fù)載放電過程中,其電壓會隨著放電過程逐漸降低,當(dāng)電池電壓降至2.5V時(shí),其容量已被完全放光,此時(shí)假如讓電池繼續(xù)對負(fù)載放電,將造成電池的永久性損壞。


在電池放電過程中,當(dāng)控制IC檢測到電池電壓低于2.3V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時(shí),其DO腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷,從而切斷了放電回路,使電池?zé)o法再對負(fù)載進(jìn)行放電,起到過放電保護(hù)用途。而此時(shí)由于V1自帶的體二極管VD1的存在,充電器可以通過該二極管對電池進(jìn)行充電。


由于在過放電保護(hù)狀態(tài)下電池電壓不能再降低,因此要求保護(hù)電路的消耗電流極小,此時(shí)控制IC會進(jìn)入低功耗狀態(tài),整個(gè)保護(hù)電路耗電會小于0.1μA。在控制IC檢測到鋰離子電池電壓低于2.3V至發(fā)出關(guān)斷V1信號之間,也有一段延時(shí)時(shí)間,該延時(shí)時(shí)間的長短由C3決定,通常設(shè)為100毫秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。


4、過電流保護(hù)


由于鋰離子電池的化學(xué)特性,鋰離子電池生產(chǎn)廠家規(guī)定了其放電電流最大不能超過2C(C=電池容量/小時(shí)),當(dāng)電池超過2C電流放電時(shí),將會導(dǎo)致電池的永久性損壞或出現(xiàn)安全問題。


電池在對負(fù)載正常放電過程中,放電電流在經(jīng)過串聯(lián)的2個(gè)MOSFET時(shí),由于MOSFET的導(dǎo)通阻抗,會在其兩端出現(xiàn)一個(gè)電壓,該電壓值U=I*RDS*2,RDS為單個(gè)MOSFET導(dǎo)通阻抗,控制IC上的V-腳對該電壓值進(jìn)行檢測,若負(fù)載因某種原因?qū)е庐惓?,使回路電流增大,?dāng)回路電流大到使U>0.1V(該值由控制IC決定,不同的IC有不同的值)時(shí),其DO腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?,使V1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷,從而切斷了放電回路,使回路中電流為零,起到過電流保護(hù)用途。


在控制IC檢測到過電流發(fā)生至發(fā)出關(guān)斷V1信號之間,也有一段延時(shí)時(shí)間,該延時(shí)時(shí)間的長短由C3決定,通常為13毫秒左右,以防止因干擾而造成誤判斷。


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