鋰離子電池防護(hù)板常見(jiàn)缺陷分析

一、無(wú)閃蒸，輸出電壓，無(wú)負(fù)載

這種不良的初級(jí)排斥不良電池(電池原本無(wú)電壓或低電壓)，假定不良電池應(yīng)測(cè)試看護(hù)板自耗是否過(guò)大導(dǎo)致電池電量過(guò)低。假如電池電壓正常，則是由于保護(hù)板的整個(gè)電路都是閉合的(元器件的假焊、熔斷器的缺陷、PCB板內(nèi)部電路閉合、通孔閉合、MOS、IC損壞等)。一個(gè)具體的分析

流程如下:

(I)將黑色計(jì)筆連接到電池的負(fù)極,紅米筆保險(xiǎn)絲和R1阻力反過(guò)來(lái),Vdd,Dout,CoutIC,P+結(jié)束(假定電池電壓為3.8v),一段一段的分析,幾個(gè)測(cè)試點(diǎn)應(yīng)3.8v。否則，電路就有問(wèn)題。

1.改變?nèi)蹟嗥鲀啥穗妷?檢查熔斷器是否打開(kāi)，指導(dǎo)規(guī)則是否PCB板內(nèi)部電路未連接;假如常規(guī)熔斷器有問(wèn)題(進(jìn)線不良、過(guò)流損壞(MOS或IC控制故障)，或材料有問(wèn)題(熔斷器在MOS或IC動(dòng)作之前燒斷)，則用金屬絲熔斷以作進(jìn)一步分析。

2.改變R1電阻兩端的電壓:檢查R1的電阻值。假如電阻值異常，可能是虛焊，電阻本身開(kāi)裂。假如阻值沒(méi)有異常，IC的內(nèi)阻可能是一個(gè)問(wèn)題。

3.IC測(cè)試端電壓改變，Vdd端接R1電阻Dout、Cout端出故障，因?yàn)镮C虛焊或損壞。

4、假如前面的電壓沒(méi)有變化，測(cè)試B-到P+之間的電壓是否異常，因?yàn)楸Ｗo(hù)板是通過(guò)孔的。

(2)紅色儀表筆連接電池正極。激活MOS管后，將黑色儀表筆連接到MOS管的2、3、6、7管腳，p端。

1.假如MOS管2、3、6、7引腳的電壓發(fā)生變化，則顯示MOS管異常。

2.假如MOS管電壓沒(méi)有變化，p端電壓異常，是由于保護(hù)板被孔堵塞。

二、短路無(wú)保護(hù)

1.VM電阻問(wèn)題:萬(wàn)用表可與IC2引腳連接，表筆可與VM電阻連接的MOS引腳連接，且允許其阻值。看電阻是否與IC、MOS引腳虛焊。

2.IC和MOS失調(diào):過(guò)放電保護(hù)和過(guò)電流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管。假如短路故障是由MOS問(wèn)題引起的，則該板不應(yīng)具有過(guò)放電保護(hù)功能。

3.以上為正常情況下的缺陷，或IC、MOS設(shè)備引起的短路故障。例如，型號(hào)為312D的bk-901，內(nèi)部延時(shí)過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致MOS或其他器件在IC進(jìn)行相應(yīng)的動(dòng)作控制之前被損壞。注:同時(shí)，確認(rèn)IC或MOS是否有故障的最簡(jiǎn)單、最直接的方法是更換可疑的元器件。

短路保護(hù)，無(wú)自恢復(fù)功能

1.用于規(guī)劃的IC沒(méi)有自恢復(fù)功能，如G2J、G2Z等。

2.儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間太短,或負(fù)載短路測(cè)試期間不刪除,如短路計(jì)筆不是從測(cè)試結(jié)束后短路計(jì)筆短路與萬(wàn)用表電壓文件(萬(wàn)用表相當(dāng)于一堆幾兆字節(jié))。

3.P+和P-之間的泄漏，如焊盤之間有雜質(zhì)的松香，有雜質(zhì)的黃膠或P+和P-電容之間的P斷，ICVdd和Vss斷。(電阻值只有幾K到幾百K)。

4.假設(shè)以上都是可以的，IC可能會(huì)壞掉，可以測(cè)試IC的引腳之間的阻值。

4、內(nèi)部阻力

1.由于金屬氧化物半導(dǎo)體的內(nèi)阻相對(duì)穩(wěn)定，且存在較大的內(nèi)阻，所以重要的嫌疑人應(yīng)該是FUSE或PTC，這類器件更換起來(lái)相對(duì)簡(jiǎn)單。

2.若熔斷器或PTC電阻值正常，則根據(jù)保護(hù)板的結(jié)構(gòu)，可檢測(cè)到P+、P-pad與元件表面之間的通孔電阻值，通孔電阻值可稍破，但電阻值較大。

3.假如沒(méi)有上述問(wèn)題，就有必要懷疑MOS是否出了問(wèn)題。其次，看板的厚度(是否容易彎曲)，因?yàn)閺澢赡軙?huì)導(dǎo)致焊接銷的不正常;然后將MOS管置于顯微鏡下觀察是否斷裂