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對(duì)比 SiC、GaN 和硅,哪種 AC 適配器性能最好?

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2020年03月29日  

根據(jù)TechInsights針對(duì)三個(gè)主要產(chǎn)品分析,有效的大功率、緊湊型AC適配器可采用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和硅超接合面這三種材料來設(shè)計(jì)制造,哪種AC適配器性能最好?


根據(jù)TechInsights針對(duì)三個(gè)主要產(chǎn)品分析,有效的大功率、緊湊型AC適配器可采用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和硅超接合面這三種材料來設(shè)計(jì)制造,哪種AC適配器性能最好?


AC適配器的存在不斷提醒著,我們鐘愛的移動(dòng)設(shè)備并不像想象的那樣具有移動(dòng)性。每個(gè)移動(dòng)設(shè)備都需要定期重新連接AC適配器,為其鋰離子電池充電。


雖然需求保持不變,但充電技術(shù)的背后卻在不斷發(fā)生變化。雖然硅一直是該領(lǐng)域的成熟技術(shù),但制造商們現(xiàn)在正在考慮采用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)更高的效率。


最初,大多數(shù)AC適配器基本上是線性電源,它將變壓器與橋式整流器,以及電容濾波器組合在一起,將AC主電壓轉(zhuǎn)換為平滑的低壓DC電流以便適合為電池充電。這些適配器僅限于特定的AC電壓輸入,以產(chǎn)生特定的DC電壓輸出,通常不能在國際上通用。


它們又笨重又累贅,每個(gè)需要DC電源的設(shè)備通常都需要一個(gè)不同的適配器。而且,基于線性變壓器的充電技術(shù)效率低下,因?yàn)槎嘤嗟墓β蕰?huì)以熱量的形式耗散,即使在無負(fù)載電流的情況下也會(huì)耗散功率。


自20世紀(jì)80年代以來,開關(guān)模式電源(SMPS)逐步取代了基于線性變壓器的充電技術(shù)。各種各樣的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)出現(xiàn),但基本上,它們都基于相同的原理:AC電壓被整流為高DC電壓用以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電路,這種開關(guān)電路包含一個(gè)高頻工作的變壓器,并以所期望的低電壓輸出DC電流。


SMPS的最大好處是它們適用于各種AC輸入電壓和頻率,因此得以生產(chǎn)「國際通用」的適配器。此外,SMPS還可以透過配置產(chǎn)生各種DC輸出,利用改變高壓開關(guān)電路的開-關(guān)時(shí)間比例即可實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié)。


相對(duì)較新的USB-C充電標(biāo)準(zhǔn)旨在提供高達(dá)100W(比如電壓為20V、電流為5A)的可變充電功率,從而可以使用單個(gè)AC適配器為各種設(shè)備充電。此外,USB-C線纜是雙向的,即可以使用相同的數(shù)據(jù)線透過顯示器為筆記本電腦充電或利用筆記本電腦為手機(jī)充電,設(shè)備一旦連接,充電功率和電壓即可動(dòng)態(tài)配置。


用于消費(fèi)類應(yīng)用的SMPS通常需要額定電壓為600V的場(chǎng)效晶體管(FET)。該FET用來驅(qū)動(dòng)SMPS中變壓器的高壓高頻開關(guān)。


合適的FET可以采用寬能隙(WBG)GaN、SiC或硅制造。硅基超接合面(SJ)MOSFET技術(shù)目前在移動(dòng)設(shè)備AC適配器市場(chǎng)仍占主導(dǎo)地位,但GaN和SiC組件將提供更高的效率和更小的外形尺寸。


目前提出的GaN組件是在GaN-on-Si基板上形成的橫向高電子移動(dòng)率晶體晶體管(HEMT)。寬能隙市場(chǎng)目前有多家AC適配器新創(chuàng)公司,但截至目前還沒有一家主要OEM采用這種技術(shù)。接下來,本文將比較這三種關(guān)鍵組件。


AvogyZolt充電器采用SiC


2016年,TechInsights曾研究Avogy的Zolt筆記本電腦充電器,型號(hào)ZM070LTPX01-G。盡管Avogy聲稱是GaN組件供貨商,但TechInsights卻發(fā)現(xiàn)Zolt中采用了一個(gè)SiC功率FET,而且可能由Cree制造,包裝卻印上了Avogy的標(biāo)記。


TechInsights在PntPower.com的同事隨后指出,Avogy采用SiC組件的原因之一是當(dāng)時(shí)SiC可用并有效。圖1展示了Zolt筆記本電腦充電器主板,并標(biāo)示了AV150-00028SiC組件的位置。圖1Zolt筆記本電腦充電器主板。


Avogy現(xiàn)在已不再是一家獨(dú)立公司,但AvogyZolt仍能透過第三方零售商購買。TechInsights追蹤了Zolt產(chǎn)品的14項(xiàng)設(shè)計(jì),涉及多家公司,其中包括英飛凌(Infineon)、Maxim、Microchip和德州儀器(TI)等。


采用GaN的RAVPowerRP-PC104


自2016年以來,GaN商用市場(chǎng)取得了長足發(fā)展。現(xiàn)在有越來越多的供貨商提供基于GaN的AC適配器,包括RAVPower、Anker、FINsix、MadeinMind(MuOne)等。


現(xiàn)在有許多供貨商提供GaNFET組件,從GaNSystems和Navitas等小型新創(chuàng)公司到英飛凌和Panasonic等大型企業(yè)。最近,TechInsights發(fā)布了對(duì)RAVPowerRP-PC10445WUSB-C充電器的一些拆解結(jié)果,該充電器宣稱基于GaN技術(shù)。


我們發(fā)現(xiàn)RP-PC104采用了兩顆NavitasNV6115GaN功率IC。圖2顯示RP-PC104主板,標(biāo)示了NavitasNV6115的位置。


圖2RP-PC104主板。


TechInsights隨后在MadeinMindMuOne45W充電器和AukeyPA-U5024WUSB充電器中也找到了Navitas組件。MuOne充電器與RavPower充電器的設(shè)計(jì)基本相同,兩者似乎都基于Navitas參考設(shè)計(jì)。


AukeyPA-U50尤其令人感興趣,因?yàn)樗捎昧诵碌腘avitasNV6250整合半橋IC。TechInsights目前正在對(duì)其進(jìn)行仔細(xì)研究,圖3顯示了RP-PC104中整合GaNHEMT裸晶的NV6115芯片。


圖3NV6115芯片。


Innergie60C采用了硅


TechInsights最近購買了由DeltaElectronicsGroup制造的Innergie60CUSB-C60W適配器,預(yù)期其應(yīng)采用GaN組件。網(wǎng)絡(luò)傳聞該設(shè)備采用了一個(gè)600V英飛凌CoolMOS超接合面MOSFET,但Delta用安全涂料遮蓋了標(biāo)記。


TechInsights對(duì)Innergie60C的拆解證實(shí)了它的確采用了600V英飛凌IPL60R185C7CoolMOS組件并使用了安全涂料。但是,在該產(chǎn)品中沒有找到任何GaN組件。


圖4顯示Innergie60C內(nèi)部的其中一小塊PCB。圖中標(biāo)示了英飛凌IPL60R185C7600VCoolMOS的位置,但標(biāo)記被遮蓋。TechInsights計(jì)劃針對(duì)600V英飛凌IPL60R185C7CoolMOS組件做一份更詳細(xì)的分析。


圖4Innergie60C內(nèi)部一塊PCB。


AC適配器前景展望


奇怪的是,在以上討論的三款A(yù)C適配器中,Innergie60C似乎提供了最佳的整體系統(tǒng)性能(表1)。


表1三款適配器比較。


行動(dòng)充電器性能的衡量標(biāo)準(zhǔn)之一是功率密度,即每立方英吋體積產(chǎn)生的瓦數(shù)。Innergie60C明顯是這一指標(biāo)的贏家,其功率密度最高,為17.4W/in3;而較早出現(xiàn)的AvogyZolt則體積最大且功率密度最低。


Innergie60C的制造商Delta是一家AC適配器的成熟制造商,其聲稱每年可以生產(chǎn)8,000萬個(gè)筆記本電腦適配器。因此Innergie60C的設(shè)計(jì)極有可能是經(jīng)過高度優(yōu)化,GaN組件需要進(jìn)一步優(yōu)化才能有效地與硅基超接合面MOSFET技術(shù)競爭。


透過進(jìn)一步對(duì)幾大主要OEM商用充電器進(jìn)行研究,包括GooglePixel3、華為Mate200Pro和諾基亞9PureView快速充電器,發(fā)現(xiàn)它們均采用了硅基超接合面MOSFET技術(shù)。顯然,硅技術(shù)繼續(xù)主導(dǎo)著這個(gè)市場(chǎng)。


由于SiC技術(shù)成本相對(duì)較高,因此不太可能在AC適配器市場(chǎng)取得大范圍應(yīng)用。相反,該技術(shù)更適合高壓應(yīng)用,目前它已成功取代了電動(dòng)和混合動(dòng)力車市場(chǎng)中的硅IGBT技術(shù)。


TechInsights還發(fā)現(xiàn)GaNAC適配器在功率密度方面還沒有超越高質(zhì)量的超接合面AC適配器。但無論如何,目前已知的GaN技術(shù)優(yōu)勢(shì),以及業(yè)界對(duì)GaN解決方案開發(fā)興趣將最終導(dǎo)致GaN在AC適配器市場(chǎng)中取得成功,期望在高效率、小尺寸、高功率的AC適配器中更多地見到GaN的身影。


目前在GaNHEMT功率晶體管市場(chǎng)已經(jīng)有許多參與者,包括相對(duì)較新的新創(chuàng)企業(yè)和大型成熟企業(yè)。硅和SiC技術(shù)似乎已有獨(dú)立的市場(chǎng)利基,期待看到創(chuàng)新持續(xù)增長且不斷發(fā)展,GaN也能成為適配器領(lǐng)域有力的競爭者。

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