雙MOSFET驅動器控制器使用最少用于LLC拓撲結構的外部元件

pCIM20179號廳342號展位-德國紐倫堡2017年5月16日推動高能效創新的安森美半導體（ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出了先進的同步整流（SR）控制器優化用于LLC諧振轉換器拓撲結構。FAN6248需用的額外元件最少，提供高能效，簡化熱管理，提升整體系統可靠性，和簡化LLC電源的設計。

FAN6248是用于現代高性能電源單元（pSU）的一個理想方案，這些應用要求在一個小的空間提供高可靠性和能效。典型應用包括服務器和臺式電腦、游戲機、大屏LCDTV和OLEDTV、網絡、電信和LED照明。

該器件采用先進混合的SR控制法，結合瞬時漏電壓檢測與以前的開關周期信息。單獨的100V額定值檢測輸入準確地檢測到兩個SRMOSFET兩端的漏源電壓，支持次級繞組中的任何不對稱或不良耦合。FAN6248采用這種先進的控制法，防止電流反向和避免由于電容電流尖峰誤觸發SR，提供高度可靠的工作。在控制器內的反擊穿控制增強pSU的可靠性和防止同時導通兩個SRMOSFET的潛在破壞性。

FAN6248和僅兩個外部電阻及MOSFET成就一個支持達800W的簡單LLC轉換器。尤其在嘈雜的環境中，添加兩個電容器進一步增強系統的穩定性。FAN6248在寬范圍的功率等級可靠、高效地運行，實現上述諧振工作而不產生電壓尖峰。在空載時，FAN6248進入綠色模式和關閉。在輕載條件下，在綠色模式的控制器脈沖提供高能效標準如80pLUS、DoEVI和CoCTIer2所要求的極高能效供電。

內置自適應寄生電感補償還最大限度地減少由于封裝的雜散電感在SRMOSFET的體二極管導通，從而提高pSU能效。該系列有四款器件；電源設計人員能基于開關頻率（25kHz至70khz或60kHz至70khz）和與MOSFET有關的雜散電感水平選擇最適合他們應用的型號。范圍適用于采用TO-220、D2pAK、DpAK或pQFN封裝形式的MOSFET。此外，FAN6248的10.5V高柵極驅動輸出確保能驅動這些極寬廣范圍的MOSFET。