BSM250D17p2E004，1700V耐壓產(chǎn)品的需求高漲，采用新的芯片涂覆材料和工藝方法，絕緣擊穿，高溫高濕反偏試驗(yàn)，HV-H3TRB，導(dǎo)通電阻降低10%。

ROHM面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17p2E004”。

*截至2018年10月26日ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

近年來(lái)，由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì)，1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而，1700V耐壓產(chǎn)品受可靠性等因素影響，遲遲難以推出SiC產(chǎn)品，目前主要使用IGBT。

此次開(kāi)發(fā)的1700V模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預(yù)防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流的增加。另外，在高溫高濕反偏試驗(yàn)中，呈現(xiàn)出極高可靠性，超過(guò)1，000小時(shí)也未發(fā)生絕緣擊穿現(xiàn)象，從而成功推出了額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊。

在高溫高濕環(huán)境下確保行業(yè)領(lǐng)先的可靠性

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1700V全SiC功率模塊BSM250D17p2E004通過(guò)采用新涂覆材料作為芯片的保護(hù)對(duì)策，并引進(jìn)新工藝方法，使模塊通過(guò)了高溫高濕反偏試驗(yàn)（HV-H3TRB：HighVoltageHighHumidityHighTemperatureReverseBias）。

對(duì)BSM250D17p2E004和同等IGBT模塊實(shí)施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗(yàn)，試驗(yàn)條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗(yàn)結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導(dǎo)致的漏電流增加現(xiàn)象，在1，000小時(shí)內(nèi)發(fā)生了故障。而新開(kāi)發(fā)的SiC功率模塊即使超出1，000小時(shí)也未發(fā)生絕緣擊穿，表現(xiàn)出極高的可靠性。

導(dǎo)通電阻更低，有助于進(jìn)一步降低設(shè)備損耗

構(gòu)成BSM250D17p2E004的SiCSBD（肖特基勢(shì)壘二極管）和SiCMOSFET全部由ROHM生產(chǎn)。通過(guò)SiCSBD和SiCMOSFET的最佳組合配置，使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%。這將非常有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的能耗。

SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容