（1）場(chǎng)效應(yīng)管的基本參數(shù)

①夾斷電壓Up也稱截止柵壓UGS（OFF），是在耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管源極接地的情況下，能使其漏源輸出電流減小到零時(shí)所需的柵源電壓UGS。

②開啟電壓UT也稱閥電壓，是增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在漏源電壓UDS為一定值時(shí)，能使其漏、源極開始導(dǎo)通的最小柵源電壓UGS。

③飽和漏電流IDSS是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在零偏壓（即柵源電壓UGS為零）、漏源電壓UDS大于夾斷電壓Up時(shí)的漏極電流。

④擊穿電壓BUDS和BUGS

a．漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時(shí)，使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時(shí)的最大漏源電壓。

b．柵源擊穿電壓BUGS。是場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間能承受的最大上作電壓。

⑤耗散功率pD也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。

⑥漏泄電流IGSS是場(chǎng)效應(yīng)管的柵—溝道結(jié)施加反向偏壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。

⑦直流輸入電阻RGS也稱柵源絕緣電阻，是場(chǎng)效應(yīng)管柵—溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的比值。

⑧漏源動(dòng)態(tài)電阻RDS是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，一般為數(shù)千歐以上。

⑨低頻跨導(dǎo)gm也稱放大特性，是柵極電壓UG對(duì)漏極電流ID的控制能力，類似于三極管的電流放大倍數(shù)β值。

⑩極間電容是場(chǎng)效應(yīng)管各極之間分布電容形成的雜散電容。柵源極電容（輸入電容）CGS和柵漏極電容cGD的電容量為1~3pF，漏源極電容CDS的電容量為0.1~1pF。

1．開啟電壓UT（MOSFET）

通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS（th）或UT表示。

開啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對(duì)值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。

2．夾斷電壓Up（JFET）

當(dāng)UDS為某一固定值（如10V），使ID等于某一微小電流（如50mA）時(shí)，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS＝Up時(shí)，漏極電流為零。

3．飽和漏極電流IDSS（JFET）

飽和漏極電流IDSS是在UGS=0的條件下，場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS型場(chǎng)效應(yīng)管所能輸出的最大電流。

4．直流輸入電阻RGS

直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時(shí)柵一源極之間的直流電阻。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。

5．跨導(dǎo)Gm

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵一源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。

6．最大漏極功耗

最大漏極功耗pD＝UDSID，相當(dāng)于三極管的pCM。

部分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見表3-9。部分N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見表3-10。部分增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)見表3-11。