英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳（BiC）功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能。

由于具有最低的導通電阻（RDS（on）），這些BiCMOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼（JuncTIontoCase（RthJC））的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。較低的反向恢復電荷（Qrr）通過顯著減小電壓過沖來提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。

這些BiCMOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現(xiàn)在更高的工作結(jié)溫下具有更高功率，或者在相同的工作結(jié)溫下具有更長使用壽命的設(shè)計。此外，隨著額定溫度的增加，安全工作區(qū)域（SAO）亦改善了20%。

這些BiCMOSFET具有出色的性能數(shù)據(jù)，非常適合電信、服務器、三相逆變器、低壓驅(qū)動器以及D類音頻等應用。英飛凌OpTIMOS?BiC功率MOSFET產(chǎn)品系列包括60V至250V型款。