【引言】

鈣鈦礦太陽能電池自從2009年首次報道以來已經(jīng)取得了巨大進展。大部分溶液法制備的鈣鈦礦太陽能電池已認證的效率達到20％以上。然而幾乎所有高效率的鈣鈦礦太陽能電池都是用旋涂法制備的，這種制備方法無法滿足工業(yè)化的高吞吐量與規(guī)模化制備的要求。研究者研發(fā)了幾種適用于規(guī)?；a(chǎn)的鈣鈦礦薄膜制備方法，如：刮刀涂布法、噴霧沉積法、噴墨打印法和電沉積等。其中，由于刮刀涂布法的基底溫度可控，因此在規(guī)模化制備高質(zhì)量、大晶粒鈣鈦礦薄膜方法中脫穎而出。值得欣慰的是刮刀涂布法制備的鈣鈦礦太陽電池效率以及高達19％，已經(jīng)十分接近旋涂法制備的器件。

商業(yè)化生產(chǎn)不僅要滿足與規(guī)模化生產(chǎn)，還要滿足制造成本低。但是現(xiàn)在鈣鈦礦太陽能電池都需要昂貴的空穴傳輸層來實現(xiàn)高效率，如spiro－OMeTAD等。此外，疏水性的空穴傳輸層的存在導(dǎo)致將鈣鈦礦薄膜很難刮涂上去。因此考慮將空穴傳輸層去掉不僅有利于降低材料成本，還有利于降低制造成本，節(jié)約時間。

然而在去掉空穴傳輸層后，鈣鈦礦薄膜與ITO的功函數(shù)不匹配導(dǎo)致空穴很難從鈣鈦礦傳輸至ITO層，因此導(dǎo)致器件效率低下。如何解決功函數(shù)匹配問題是制備無空穴層高效鈣鈦礦太陽能電池面臨的巨大挑戰(zhàn)。

【成果簡介】

近日，北卡羅納大學(xué)和內(nèi)布拉斯加大學(xué)林肯分校的黃勁松教授在Nat．Commun．上發(fā)表了一篇題為Moleculardopingenabledscalablebladingofefficienthole－transport－layer－freeperovskitesolarcells的文章。該文章報道了一種分子摻雜策略成功的解決了鈣鈦礦與ITO的能帶不匹配問題，實現(xiàn)了效率高達20％的無空穴傳輸層鈣鈦礦太陽能電池，此外該研究配合刮刀涂布法成功實現(xiàn)了高效太陽能電池的量產(chǎn)化。

【圖文簡介】

圖1：刮刀涂布法和摻雜F4TCNQ分子的鈣鈦礦薄膜

（a）．刮刀涂布鈣鈦礦薄膜示意圖和F4TCNQ摻雜劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)式；

（b）．基底為150攝氏度，刮涂在ITO上的鈣鈦礦薄膜的側(cè)面SEM圖；

（c－h(huán)）．無摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖（c）和表面勢壘圖（f）；F4TCNQ摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖（d）和表面勢壘圖g）；將F4TCNQ顆粒灑在雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖（e）和表面勢壘圖（h）；

（i）．不同鈣鈦礦膜表面電位分布；

（j）．MApbI3：F4TCNQ共混物能量圖和電子轉(zhuǎn)移過程示意圖。

圖2：純鈣鈦礦薄膜和摻雜鈣鈦礦薄膜的電導(dǎo)率和光致發(fā)光壽命

（a）．鈣鈦礦薄膜橫向電導(dǎo)率的測試模型；

（b）．摻雜與無摻雜鈣鈦礦薄膜的I－V曲線；

（c）．時間分辨光致發(fā)光曲線；

（d）．導(dǎo)電原子力顯微鏡測試方法；

（e－h(huán)）．無摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖（e）和在晶粒上與晶界上的C－V圖（f）；摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖（g）和在晶粒上與晶界上的C－V圖（h）。

圖3：鈣鈦礦薄膜形貌，器件結(jié)構(gòu)與光伏性能

（a－b）．摻雜鈣鈦礦薄膜的低分辨率與高分辨率SEM圖；

（c）．無空穴層鈣鈦礦電池器件結(jié)構(gòu)圖；

（d）．J－V曲線；

（e）．穩(wěn)態(tài)電流和穩(wěn)態(tài)pCE測試；

（f）．EQE和積分電流；

（g）．器件效率的統(tǒng)計分布圖。

圖4：界面空穴轉(zhuǎn)移機理

（a）．空穴在ITO／MApbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖；

（b）．空穴在ITO／F4TCNQ－MApbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖。

【小結(jié)】

該研究首先利用刮刀涂布法克服了大規(guī)模制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜難題，然后通過分子摻雜法解決了高效率無空穴傳輸層鈣鈦礦電池的難題。最后器件效率高達20％，并且?guī)缀鯚o遲滯效應(yīng)。該研究為鈣鈦礦太陽能電池商業(yè)化帶來了曙光。

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