便攜產品的設計人員通常在設計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰。在超便攜應用等使用單節鋰離子電池的產品中，這是一個特別重要的問題。為了幫助設計人員應對減小設計空間和提高效率的挑戰，全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)開發出powerTrench?MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸，并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超便攜應用而設計，具有N溝道共漏極MOSFET特性，能夠實現電流的雙向流動。FDMB2307NZ采用先進的powerTrench工藝，具有高功率密度，并在VGS=4.5V,ID=8A條件下具有最大16.5m?的Rss(on)，從而獲得更低的導通損耗、電壓降和功率損耗，并且相比競爭解決方案，具有更高的總體設計效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得系統工作溫度更低，進一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET?封裝，為設計人員帶來了現有最小的MLp解決方案之一，相比目前常見的解決方案減小40%，顯著節省了客戶設計的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求，而且具有>2kV的HBMESD防護功能。飛兆半導體通過將先進的電路技術集成在微型高級封裝中，為便攜產品用戶提供了重要的優勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功率。飛兆半導體的便攜Ip業已用于現今大部分手機中。