3.1TCO的制備

TCO玻璃是指在平板玻璃表面通過物理或化學鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導電氧化物薄膜(TransparentCONductiveOxide)而形成的組件。對于薄膜太陽能電池來說，由于中間半導體層幾乎沒有橫向導電性能，因此必須使用TCO玻璃有效收集電池的電流，同時TCO薄膜具有高透和減反射的功能讓大部分光進入吸收層。TCO玻璃的生產工藝TCO玻璃工藝主要分為超白浮法玻璃生產、TCO鍍膜。超白浮法玻璃生產工藝難度較高，目前世界上主要供應商有日本旭硝子、美國ppG、法國圣戈班等，國內供應廠家有限，目前僅金晶科技、南玻、信義能夠供貨。

TCO為絨面SnO2:F薄膜，它可由化學氣相沉積(CVD)工藝來制備，制備選用平直度好、透射率高、新鮮、無污染、無水腐蝕的浮法玻璃做襯底，將其切割成上述計算的面積大小，洗滌烘干后送入CVD爐開始沉積，發生的化學反應如下：

SnCl4+O2=SnO2+2Cl2

SnCl4+2H2O=SnO2+4HCl

沉積完后將其放在釔釹石榴石激光器的平臺上進行激光刻劃，刻劃的多少由所要求的串聯電池數決定。3.2p層的制備

p層成份為a-Si:H:B:C,制備工藝為等離子增強型化學氣相沉積(pECVD)，它是一種高頻(13.56MHz)輝光放電物理過程和化學反應相結合的技術，此法的優點是沉積速率快，成膜質量好，針孔少，不易龜裂，沉積的氣源為SiH4,CH4,B2H6和He的混合氣體。B2H6用來實現材料攙雜，He用作稀釋氣體，CH4的攙入是為了改善p層的光學性質。通過改變沉積過程中的氣體分壓比，就可以獲得含C量不同的p層(a-Si:H:B:C)薄膜，而不同的含C量，就有不同的光電性質。

3.3I層的制備

I層成份為a-Si:H,制備工藝仍為pECVD,沉積的氣源為SiH4和H2.本征層是光生電流的產生區，因而其成膜質量直接影響到a-Si:H太陽電池的性能，其性能主要由制備時的放電功率、基體溫度、反應壓力和氣體流量來決定。成膜過程中，在保持一定的成膜速率下，盡量采用低的放電功率以提高薄膜的光電子學性能。

3.4N層的制備

N層為a-Si:H:p,沉積的氣源為SiH4、pH3、H2和He的混合氣體，其中pH3用來實現材料攙雜。a-Si:H:p薄膜的結構和光電性能同基體溫度、氣源配比、反應壓力、放電功率和氣體流量等因素緊密相關。

在制備上述各層薄膜的過程中，反應壓力、放電時間、氣體流量和反應室溫度均由計算機自動監測和控制，所需的控制參數由軟件來實現。

各層薄膜制備完畢后，將組件放到機械梳刻臺上械梳，刻線線寬應小于0.2mm,硅刻線應緊貼在激光刻線的近旁，兩者的公差為0.2~0.7mm,刻透率應大于80%,目的是形成各單電池的非晶硅層，并使Al與TCO良好接觸。3.5蒸鋁

采用真空蒸發的方法制做Al電極，在集成型a-Si:H太陽電池中，鋁不但用作各子電池的負極，而且它將各單電池在結構上串聯起來。除此之外，鋁薄膜還可反射沒有被非晶硅合金層吸收的長波限光子，增加太陽電池對光的利用率。

按上述要求設計制備出的集成型a-Si:H太陽電池組件，在美國CHRONAR公司的太陽電池測試臺上測出的電池輸出特性如圖5所示。測試條件為：標準光強，AM1.5,100mW/cm2,25℃。從結果來看，達到了設計要求。